華測(cè)儀器CGO-2/CGO4晶圓測(cè)試高低溫真空探針臺(tái)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
華測(cè)儀器 高低溫真空探針臺(tái)是一種輔助執(zhí)行機(jī)構(gòu)，測(cè)試人員把需要量測(cè)的器件放到探針臺(tái)載物臺(tái)上，在顯微鏡配合下，X-Y移動(dòng)器件，找到需要探測(cè)的位置，接下來(lái)通過(guò)旋轉(zhuǎn)探針座上的X-Y-Z的三向旋鈕，控制前部探針(射頻或直流探針)扎到被測(cè)點(diǎn)，從而使其訊號(hào)線與外部測(cè)試機(jī)導(dǎo)通，即可得到所需要的電性能參數(shù)。
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)包含以下幾點(diǎn)：
1.真空-溫度協(xié)同控制
真空系統(tǒng)：分子泵+渦旋泵多級(jí)抽氣，能夠支持設(shè)備在30分鐘內(nèi)實(shí)現(xiàn)10^-6 torr級(jí)真空度和惰性氣體氛圍切換；
2.液氮制冷與電極加熱復(fù)合控溫，幫助設(shè)備實(shí)現(xiàn)超寬溫域調(diào)節(jié)，控溫穩(wěn)定性可達(dá)±0.1K。
3.真空障蔽腔體抗干擾設(shè)計(jì)能夠大幅降低電磁噪聲，支持皮安級(jí)微弱電流與微歐級(jí)電阻測(cè)量；
4.設(shè)備標(biāo)配4探針臂（可擴(kuò)展至6探針臂），支持四線法、射頻探針以及光電協(xié)同測(cè)試，滿足多樣化測(cè)試需求。
產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)：
材質(zhì)：不銹鋼/碳鋼
平面度：0.05mm/m2
粗糙度：＜0.8μm
孔距：25×25mm
孔徑：M6
平臺(tái)尺寸（長(zhǎng)寬）：可定制
平臺(tái)厚度：50/100/200mm
支撐腿數(shù)量：4只/6只
支撐腿高度：800mm±10mm
其他：內(nèi)芯采用蜂窩支撐、表面密迪紋處理、支撐腳可選腳輪、特殊尺寸可定制
產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，主要覆蓋以下三大場(chǎng)景：
1. 研究階段：材料與器件的性能探索
在新型半導(dǎo)體材料（如鈣鈦礦、氧化鎵）的研發(fā)中，晶圓測(cè)試高低溫真空探針臺(tái)可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)材料在真空、高溫或低溫條件下的載流子遷移率、擊穿電壓等參數(shù)，為材料優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。
2. 失效分析：準(zhǔn)確定位失效根源
設(shè)備通過(guò)微區(qū)探針掃描技術(shù)，配合SEM或FIB聯(lián)用，可對(duì)芯片的短路、漏電等故障點(diǎn)進(jìn)行定位，快速鎖定制造工藝中的失效環(huán)節(jié)。
3. 量產(chǎn)前驗(yàn)證：提升良率與可靠性
在晶圓出廠前，晶圓測(cè)試高低溫真空探針臺(tái)可對(duì)成千上萬(wàn)個(gè)微結(jié)構(gòu)進(jìn)行自動(dòng)化批量測(cè)試（如接觸電阻、絕緣性能），結(jié)合AI算法實(shí)時(shí)分析數(shù)據(jù)，提前篩除次品，降低下游封測(cè)成本。